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道闸遥控器需防止击穿电压

    这项明公开了一种用于栅栏门的装置,其设计用于控制车辆通过通道的行驶。本发明采用屏障臂、外壳、电机和变速箱、旋转编码器和扭矩限制器组件。扭矩限制器总成包括轮毂、心轴、制动盘、转子和道闸遥控器压盖螺母。扭矩限制器总成安装在电机和变速箱上,并连接到屏障臂上。

    扭矩限制器总成提供足够的摩擦力来旋转屏障臂,还通过防止任何不必要的旋转来保护变速箱和电机的内部齿轮和连杆,避免昂贵的万能电子杆遥控器维修和更换。如果外力使屏障臂旋转,旋转编码器与控制器配合,会立即识别屏障臂的位置,并进一步充当限位开关,向电机发送信号,在屏障臂就位时停止。研究了n+-GaAs/p+-InGaP/n--GaAs高势垒栅场效应晶体管中栅电流和击穿行为的温度依赖性。

    由于存在n+-GaAs/p+-InGaP/n--GaAs高势垒栅结构,该器件显示出高击穿特性。此外,我们发现在T=300到420 K时,关态击穿电压对升降杆遥控器主要由沟道和栅极击穿决定,并且在此温度范围内栅极电流IG主要来自隧穿机制。然而,当温度升高到420K以上时,IG受到衬底漏电流的严重影响,并且{BV}DS仅由栅极击穿决定。双金属肖特基势垒GAA MOSFET的高截止频率:193GHz。DM-GS-SB-GAA MOSFET的最高离子/断开比:9.58×104。DM-GS-SB-GAA MOSFET的高跨导:68.2μS。低功率VDS=50mV,抑制gm3。轻掺杂沟道(NA=1×1016cm3),双金属栅合并。